檢索結果:共10筆資料 檢索策略: "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and year="101"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜,探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
2
本論文主要是探討具有奈米尺寸厚度的多層二硒化鉬(MoSe2)層狀半導體(Semiconductor)撕之電傳輸特性,實驗上利用機械剝離(Mechanical Exfoliation)的方式製作不同厚…
3
本論文著重探討二氧化錫(tin oxide, SnO2)奈米線之光電導特性與其傳輸機制。在計算光電導增益(photoconductive gain, Γ)的部分,我們可透過3.0 V的低偏壓便量測出…
4
本論文主要探討有機金屬化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)成長之銳鈦礦(anatase)與金紅石(rutile)結構二氧化鈦…
5
細菌可以快速的適應複雜的生存條件且大量複製,有別於一般生物需要多種困難的調和。透過理解細菌代謝過程,可以方便了解生物的合成與分解狀況。 生物代謝經常利用合成途徑的終產物,去抑制代謝途徑所參與之酵素,…
6
此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜,採用陽極層離子源,以鋅為靶材,同時通入氬氣、氧氣及氮氣,探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm,…
7
本論文研究主要針對實驗室已開發之奈米碳管整合於矽散熱基板結構做近一步的熱模擬分析及製程步驟之優化改良,並提出利用高熱傳導之陶瓷材料碳化矽(SiC)及離子佈植氬原子的方式,來取代原先基板介電層採用之低…
8
此實驗以反應式離子束濺鍍法成長氧化銀薄膜,採用毛細式離子源(6∼8 kV、100∼500 uA)及陽極層離子源 (0.7 kV、13.5 mA) ,同時通入氬氣及氧氣,氬氣為濺鍍氣體,氧氣為反應氣體…
9
本論文主要探討利用電解液電場調制反射光譜量測實驗、光響應實驗、壓電調制反射光譜量測實驗,來探討摻雜鎢 ( tungsten)、鉬 (molybdenum)、鈮 (niobium)、金 (gold) …
10
本論文主要探討利用化學氣相傳導法成長層狀半導體MoS2摻雜不同過渡性金屬MoS2:X (X=Re,Nb,Fe,Co,Ni) 之相關特性。 在日本National Institute of A…